新品發布 | 低C×R、迷你封裝，歐姆龍光耦繼電器G3VM助力高集成、高速、高精度測試

2026-07-08

半導體檢測、高頻測量、5G通信等設備對元器件的要求愈發極致——高精度（高頻穩定輸出）、高密度（小型化集成化）、高響應（寬溫工作信號低延遲）。

別急，歐姆龍器件與模塊解決方案推出MOSFET繼電器新品G3VM幫你適配工業級場景應用需求實現設備改造升級！

歐姆龍G3VM系列MOS FET繼電器低C×R +迷你封裝，工業級硬核之選本次G3VM MOS FET繼電器新品，三款明星系列G3VM-21QR、G3VM-21QR1、G3VM-41QR4，可適用于半導體檢查裝置、各種計測儀器、通信設備、數據記錄器等應用場景。

它的S-VSON (L) 封裝尺寸小（僅為microSD卡的1.7%左右），單繼電器僅0.01g，可實現電路板高密度貼裝，大幅減輕設備整體重量。

一、應用價值：

高密度貼裝可提升同時測量數量；

輕量化封裝降低整體設備重量，提升設備設計靈活性；

可替換機械繼電器，減少電路改動和額外元器件，實現設備小型化、節能化。

二、性能優勢提升

1、相比往年高速款，開關性能再提升

G3VM-21QR最大關斷/導通時間為0.08ms/0.12ms，G3VM-21QR1和G3VM-41QR4為0.15ms/0.1ms。

可縮短設備檢測時間，提升作業效率。

2、追求速度的同時，精度同步提升

G3VM-21QR典型值僅0.6pF（低電容可有效保障高頻特性），擁有最大1nA的低漏電流（低漏電流可有效保障測量精度）。

3、寬溫穩定工作，適配更多工業場景

全型號工作環境溫度均為-40~+110℃。

可適配更多應用場景，擁有更廣闊的市場拓展能力。

三、應用領域

主要面向半導體測試儀、高頻測量儀器等高頻、高精度檢測設備領域，是該類設備實現高集成、高速、高精度測試的關鍵元器件。

低C×R、迷你封裝、高速響應，歐姆龍G3VM以硬核工業級實力幫助您在數字化發展浪潮中以小馭大、以快馭勝